国際シンポジウムISAMMA2024で発表

2024年8月4日 7:37 PM

ベトナムのQuang Binh市で開催されているThe 5th International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA2024) にPham教授、共同研究者の田中雅明教授、M1の江尻君が下記の発表を行いました。

[Invited] [SSp-I13] Pham Nam Hai, “Topological materials for advanced magnetic memory and sensor”

[Keynote] Masaaki Tanaka, Kosuke Takiguchi, Nguyen Thanh Tu, Le Duc Anh, Pham Nam Hai, “A new class of Fe-doped III-V ferromagnetic semiconductors with high Curie temperature and their quantum heterostructures” 

[Oral] [TMh-O1] Kota Ejiri, Yota Endo, Kenta Takabayashi, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai, “Detection of Fe-induced impurity band in Bi-doped (InFe)(SbBi) ferromagnetic semiconductor using infrared magnetic circular dichroism spectroscopy”

海外訪問学生の研究室参加

2024年7月3日 6:57 PM

中国の南京大学から3年生のMa Minzhe (马敏喆)君が海外訪問学生として研究室に参加しました。

The 22nd International Conference on Magnetism (ICM2024)で発表

2024年7月3日 6:54 PM

博士課程のZhang君がイタリアのボローニャで開催されていたThe 22nd International Conference on Magnetism (ICM2024)で下記の発表を行いました。

“High spin Hall angle in heterostructures of BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB/MgO multilayers with metallic interfacial layers”.

本研究はウエスタンデジタルテクノロジーズ合同会社との共同研究の成果です。

新しいメンバー

2024年4月5日 5:57 PM

新B4の伊藤君と大枝君、北海道大学から新M1の佐藤君、韓国の大学から新D1のHu YiFan君が研究室に加えました。また、江尻君、石田君と李君がM1に進学しました。皆さんの活躍を期待します。

R5年度の卒業式と送別会

2024年3月28日 7:23 PM

3月26日に、冷たい雨の中、R5年度の卒業式と送別会が行われました。B4の江尻君と石田君、M2の長田君、高林君、南波君、山本君が無事に卒業しました。また、江尻君と石田君が電気電子系学士優秀学生賞の表彰を受けました。おめでとうございます！

修士の皆さん

電気電子系学士優秀学生賞を受賞したB4の江尻君

みんなで飲もう！

第71回春季応用物理学会学術講演会で発表

2024年3月23日 12:08 PM

東京都市大学で開催した第71回春季応用物理学会学術講演会において、特任助教の白倉氏、D3のZhang君と西山君、M2の山本君、B4の江尻君が下記の発表を行いました。

[22a-12K-4] High spin Hall performance in YPtBi topological semimetal and perpendicular-anisotropy CoFeB junctions
〇Reo Yamamoto, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai

[22a-12K-5] High spin Hall angle in BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB/MgO multilayers with metallic interfacial layers
〇Ruixian Zhang, Hoang Huy Ho, Takanori Shirokura, Nam Hai Pham, Quang Le, Brian R. York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Xiaoyu Xu, Son Le, Michael Gribelyuk, Hisashi Takano, Maki Maeda, Fan Tuo, Yu Tao

[24a-71B-5] Observation of impurity band in (InFe)(SbBi) ferromagnetic semiconductor using infrared magnetic circular dichroism spectroscopy
〇Kota Ejiri, Yota Endo, Kenta Takabayasi, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai

[24p-P05-34] トポロジカル絶縁体BiSbのテラヘルツ分光特性
〇西山 黎、ファムナム ハイ、橋谷田俊、河野 行雄

[25p-71B-3] Giant spin Hall effect in sputtered topological semimetal YPtBi films grown at low temperature
〇Takanori Shirokura, Nam Hai Pham

PASPS-27で発表

2024年3月18日 11:19 AM

M2の長田君がThe 27th Symposium on the Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-27)において、下記の発表を行いました。本発表はPeter Grünberg Institute (PGI-9), Forschungszentrum Jülichとの共同研究の成果です。

[P-34] Growth and evaluation of BiSb topological insulator ultrathin films on Si(111) substrates for superconductor/2D-TI topological quantum bits
Y. Osada, M. Vaßen-Carl, A. R. Jalil, P. Schüffelgen, P. N. Hai

石田 乾君 (早期卒業)と江尻 航汰君が電気電子系学士優秀学生賞を受賞

2024年3月6日 4:45 PM

B3の石田 乾君 (早期卒業)とB4の江尻 航汰君が電気電子系学士優秀学生賞を受賞しました。3月26日学位記伝達式において、表彰状及び楽水会からメダルが授与される予定です。おめでとうございます！

論文掲載：BiSbトポロジカル絶縁体/CoFeB/MgO垂直磁化膜における高スピンホール角と低電流磁化反転の実証

2024年2月14日 10:53 PM

BiSbトポロジカル絶縁体/CoFeB/MgO垂直磁化膜における高スピンホール角と低電流磁化反転の実証に成功した研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。本研究成果は米ウェスタインデジタル社との共同研究の成果です。

Zhang Ruixian, Ho Hoang Huy, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, Quang Le, Brian York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Michael Gribelyuk, Xiaoyu Xu, Son Le, Maki Maeda, Tuo Fan, Yu Tao, and Hisashi Takano, “High spin Hall angle in BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB/MgO multilayers with metallic interfacial layers”, Appl. Phys. Lett. 124, 072402 (2024).

BiSbトポロジカル絶縁体は巨大なスピンホール角を示す高性能なスピンホール材料です。一方、CoFeB/MgO垂直磁化膜はMRAMの標準的な自由層です。本研究では、SOT-MRAMの実現に向けて、低電流書き込み用のBiSbと高性能読み出し用のCoFeB/MgO垂直磁化膜の間に、適切な中間層を挿入することによって、高スピンホール角と低電流磁化反転の実証に成功しました。

論文掲載：トポロジカル半金属YPtBi/CoPt接合におけるポストアニール効果

2024年2月7日 3:30 PM

トポロジカル半金属YPtBi/CoPt接合におけるポストアニール効果に関する研究成果がJapanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました。

Sho Kagami, Takanori Shirokura, and Pham Nam Hai, “Effects of post-growth annealing in YPtBi topological semimetal and Co/Pt perpendicular magnetization multilayers”, Jpn. J. Appl. Phys. 63, 02SP98 (2024).

本研究では、YPtBi/CoPt接合を高温300℃までポストアニールすると、CoPtの磁気特性およびYPtBiのスピンホール特性が向上したことを明らかにした。また、YPtBi/CoPt接合はW/CoPt接合よりも高い熱耐久性があることも示した。

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