論文掲載：Si/SiOx基板上の300℃アニールしたBiSbトポロジカル絶縁体の巨大なスピンホール効果の実証
Si/SiOx基板上の300℃アニールしたBiSbトポロジカル絶縁体の巨大なスピンホール効果の実証に関する研究成果がAppied Physics Letters誌に掲載されました。本研究成果は日本サムスン社との共同研究成果です。
Intermag2026国際学会に発表
イギリスのマンチェスターで開催されたIntermag2026国際学会に助教のHuyさん、博士課程の加々美君とThuan君が下記の発表を行いました。
[DS-03] Ho Hoang Huy, Li Wentao, Pham Van Thuan, Shigeyuki Hirayama, Yushi Kato, and Pham Nam Hai, “Large Spin Hall Angle in Highly-Textured Sputtered BiSb (012) Topological Insulator on Si/SiO2 Substrates Enabled by Buffer/Seed Stack”.
[DS-12] Sho Kagami, Zhang Ruixian, Daiki Ito, Quang Le, Brian York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Son Le, Maki Maeda, Tuo Fan, Yu Tao, Hisashi Takano, Pham Nam Hai, “Giant Perpendicular Magnetic Anisotropy in Mo / Boron-rich CoFeB / MgAl2O4 Junction for p-MTJ integration to 5-7 nm CMOS Processes”.
[CS-05] Pham Van Thuan, Ho Hoang Huy, Li Wentao, Shigeyuki Hirayama, Yushi Kato, Pham Nam Hai, “Large spin Hall effect in 300C annealed BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB using oxide buffer/seed and interfacial layers on Si/SiO2 substrates”.
2026年度の新メンバー
研究室に中央大学から新M1の郷田さん、台湾からの留学生の江君、新しいB4の岩崎君、岸本君が参加しました。また、藤江君、連尾君、胡君がM1に内部進学しました。また、フューチャー株式会社から受託研究員の長田さんが参加しました。皆さんの活躍を期待します。
2025年度卒業式
2026年3月26日に2025年度の卒業式が行われました。博士課程の西山君、Zhang君、Liuさん、修士課程の江尻君、李君、石田君、学士課程の藤江君、連尾君、顔君が無事に卒業しました。おめでとうございます！
論文掲載：BiSbの赤外領域の光学定数の測定
BiSbトポロジカル絶縁体の赤外領域における光学定数の測定に関する研究成果がOptics Letters誌に掲載されました。
BiSbのバンドギャップが非常に小さいことから、赤外領域の検出材料として期待されている。しかし、BiSbの赤外領域における光学定数の情報が不足しているため、今回に透過・反射法を用いて、BiSbの赤外領域における光学定数n, κの測定を行った。
2025年度の優秀修士論文賞を受賞！
江尻 航汰君の修士論文「高キュリー温度鉄系強磁性半導体(In,Fe)Sb における異常ネルンスト効果の評価」が2025年度の優秀修士論文賞を受賞しました。2026年3月26日の卒業式に表彰されました。おめでとうございます！
(In,Fe)Sb強磁性半導体の高いキュリー温度と高い異常ネルンスト効果の実証（Featured Article)
(In,Fe)Sb強磁性半導体の高いキュリー温度と高い異常ネルンスト効果の実証に関する研究成果はApplied Physics Letters誌の注目論文 (Featured Article)として掲載された。
バンドギャップの小さい半導体は熱電効果であるゼーベック効果が強いため、熱を直接電気に変換できる発電素子の材料として活用されている。一方、磁性材料には、磁化と温度勾配と直角な方向に発電できる異常ネルンスト効果が有り、構造が簡単な発電素子や熱流センサーの材料として利用が期待ができる。強磁性半導体は高い異常ネルンスト効果が期待できるが、室温異常ネルンスト効果はキュリー温度が高い磁性金属にしか観測されず、GaMnAsなどのMn系強磁性半導体はキュリー温度が室温より低いため、室温異常ネルンスト効果が今迄観測されなかった。
本研究では、室温よりも高いキュリー温度を示すn型強磁性半導体(In,Fe)Sbにおいて、結晶成長を工夫することによって、460 Kという世界最高のキュリー温度を実現したとともに、-1.3~-3.2 μV/Kという高い異常ネルンスト係数を実現した。これらの値はよく研究された金属磁性体よりも高く、CoMn2Gaのトポロジカル磁性体に近い（図１）。本研究は強磁性半導体が異常ネルンスト効果を利用する半導体熱電素子の材料として有望であることを示した。
図１．異常ネルンスト効果の係数と磁化の相関。
2026年春季応用物理学会学術講演会で発表
東京科学大学・大岡山キャンパスで開催された2026年春季応用物理学会学術講演会に、ファム教授、博士課程の加々美君、西山君、Liu Minさん、修士課程の李君、佐藤君、大枝君、伊藤君が下記の9件の発表を行いました。IEEE Magnetics Society Summer School 2026の学生参加者採択
博士課程のThuan君がエジプトのカイロで2026年6月14-19日に開催される予定のIEEE Magnetics Society Summer School 2026に応募して、学生参加者として採択されました。本Summer Schoolは世界中に募集し、85名の磁気分野の大学院生を選出します。参加者は交通費、宿泊費、食費が全額支給されます。おめでとうございます！
ギャラリー
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- 2019年夏短期留学生の歓迎会
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- ドイツイノベーションアワード
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- 英語講演奨励賞の受賞
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- 2019年３月卒業式
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- Nature Materials論文掲載
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- 研究室のスキー旅行