JST A-STEP 本格フェーズのプロジェクト開始
JST A-STEP 本格フェーズのプロジェクトが採択されました。
我々はウエスタンデジタルテクノロジーズ合同会社と高機能トポロジカル量子材料の適用によるSOT-MRAMの実用化技術を２～3年で確立します。
エッジ、宇宙、量子コンピューターなど、低消費電力でAIを実行するためには、SRAM~DRAM並みの速度、書き換え回数1兆回以上、かつ埋め込みができる不揮発性メモリが必要です。我々は科学大で開発した独自な高機能トポロジカル量子材料を適用し、CMOSのBEOLに対応可能な400度以上のプロセス温度、1/10以上の低電流書き込み、バイアス磁界が不要なSOT-MRAMの実用化技術を開発します。
2026年秋季応用物理学会学術講演会で発表
北海道大学で開催された2026年秋季応用物理学会学術講演会で助教のHuyさん、博士課程の加々美君、Thuan君、修士課程のLong君、OBの石田君が下記の発表を行いました。
論文掲載：磁性細線における磁壁速度に対する層間DMI相互作用の効果
磁性細線における磁壁速度に対する層間DMI相互作用の効果を解明した研究成果はNano Letter誌に掲載されました。本成果はM2の佐藤君が清華大学プログラムで実験を行い、さらに東京科学大学でマイクロマグネティックシミュレーションを用いた理論解析によって、層間DMI相互作用の効果を確認したものです。
層間DMI相互作用がある時、磁性細線の方向がDMIベクトルと平行する時に、磁壁速度が電流の向きによって異なることを実験的にかつ理論的に解明しました。本研究成果は層間DMI相互作用は磁性細線メモリの新しい設計パラメータとして注目すべきことを示しました。
半導体物理国際学会ICPS2026で発表
京王プラザホテルと工学院大学で開催された半導体物理国際学会ICPS2026に博士課程OBの西山さんとM2の大枝君が下記の発表を行いました。
ISAMMA2026国際シンポジウムで招待講演
韓国の釜山 で開催されたISAMMA2026国際シンポジウムでPham教授が下記の招待講演を行った。
[05-7391] Pham Nam Hai, “Topological Insulator-Based Spin-Orbit-Torque Magnetic Sensor for 4 Tbit/inch2 Magnetic Recording Technology”.
ICMIT 2026の国際学会で招待講演
Pham教授はVin Universityで開催されたICMIT 2026の国際学会で招待講演を行った。
[I-6] Pham Nam Hai “Quantum Materials for High Performance Spin Orbit Torque Devices”
論文掲載：Si/SiOx基板上の300℃アニールしたBiSbトポロジカル絶縁体の巨大なスピンホール効果の実証
Si/SiOx基板上の300℃アニールしたBiSbトポロジカル絶縁体の巨大なスピンホール効果の実証に関する研究成果がAppied Physics Letters誌に掲載されました。本研究成果は日本サムスン社との共同研究成果です。
Intermag2026国際学会に発表
イギリスのマンチェスターで開催されたIntermag2026国際学会に助教のHuyさん、博士課程の加々美君とThuan君が下記の発表を行いました。
[DS-03] Ho Hoang Huy, Li Wentao, Pham Van Thuan, Shigeyuki Hirayama, Yushi Kato, and Pham Nam Hai, “Large Spin Hall Angle in Highly-Textured Sputtered BiSb (012) Topological Insulator on Si/SiO2 Substrates Enabled by Buffer/Seed Stack”.
[DS-12] Sho Kagami, Zhang Ruixian, Daiki Ito, Quang Le, Brian York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Son Le, Maki Maeda, Tuo Fan, Yu Tao, Hisashi Takano, Pham Nam Hai, “Giant Perpendicular Magnetic Anisotropy in Mo / Boron-rich CoFeB / MgAl2O4 Junction for p-MTJ integration to 5-7 nm CMOS Processes”.
[CS-05] Pham Van Thuan, Ho Hoang Huy, Li Wentao, Shigeyuki Hirayama, Yushi Kato, Pham Nam Hai, “Large spin Hall effect in 300C annealed BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB using oxide buffer/seed and interfacial layers on Si/SiO2 substrates”.
2026年度の新メンバー
研究室に中央大学から新M1の郷田さん、台湾からの留学生の江君、新しいB4の岩崎君、岸本君が参加しました。また、藤江君、連尾君、胡君がM1に内部進学しました。また、フューチャー株式会社から受託研究員の長田さんが参加しました。皆さんの活躍を期待します。
2025年度卒業式
2026年3月26日に2025年度の卒業式が行われました。博士課程の西山君、Zhang君、Liuさん、修士課程の江尻君、李君、石田君、学士課程の藤江君、連尾君、顔君が無事に卒業しました。おめでとうございます！
ギャラリー
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- 2019年夏短期留学生の歓迎会
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- ドイツイノベーションアワード
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- 英語講演奨励賞の受賞
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- 2019年３月卒業式
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- Nature Materials論文掲載
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- 研究室のスキー旅行