2026年度の新メンバー

2026年4月4日 1:12 PM

研究室に中央大学から新M1の郷田さん、台湾からの留学生の江君、新しいB4の岩崎君、岸本君が参加しました。また、藤江君、連尾君、胡君がM1に内部進学しました。また、フューチャー株式会社から受託研究員の長田さんが参加しました。皆さんの活躍を期待します。

2025年度卒業式

2026年3月27日 12:23 AM

2026年3月26日に2025年度の卒業式が行われました。博士課程の西山君、Zhang君、Liuさん、修士課程の江尻君、李君、石田君、学士課程の藤江君、連尾君、顔君が無事に卒業しました。おめでとうございます！

論文掲載：BiSbの赤外領域の光学定数の測定

2026年3月24日 11:53 PM

BiSbトポロジカル絶縁体の赤外領域における光学定数の測定に関する研究成果がOptics Letters誌に掲載されました。

 Hajime Nishiyama, Pham Nam Hai, Tomohiro Amemiya, Shun Hashiyada, and Yukio Kawano, “Infrared optical constants n, κ, and absorption of topological insulator BiSb thin films determined by the reflectance-transmittance technique”, Opt. Lett. 51, 1864 (2026).

BiSbのバンドギャップが非常に小さいことから、赤外領域の検出材料として期待されている。しかし、BiSbの赤外領域における光学定数の情報が不足しているため、今回に透過・反射法を用いて、BiSbの赤外領域における光学定数n, κの測定を行った。

2025年度の優秀修士論文賞を受賞！

2026年3月24日 6:45 PM

江尻 航汰君の修士論文「高キュリー温度鉄系強磁性半導体(In,Fe)Sb における異常ネルンスト効果の評価」が2025年度の優秀修士論文賞を受賞しました。2026年3月26日の卒業式に表彰されました。おめでとうございます！

(In,Fe)Sb強磁性半導体の高いキュリー温度と高い異常ネルンスト効果の実証（Featured Article)

2026年3月19日 11:10 PM

(In,Fe)Sb強磁性半導体の高いキュリー温度と高い異常ネルンスト効果の実証に関する研究成果はApplied Physics Letters誌の注目論文 (Featured Article)として掲載された。

Kota Ejiri, Wentao Li, Shuzo Oeda, Yun Jaeyeon, Kota Iwakura, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai, “High-temperature ferromagnetism and large anomalous Nernst effect above room temperature in (In,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor”, Appl. Phys. Lett. 128, 112404 (2026) 

バンドギャップの小さい半導体は熱電効果であるゼーベック効果が強いため、熱を直接電気に変換できる発電素子の材料として活用されている。一方、磁性材料には、磁化と温度勾配と直角な方向に発電できる異常ネルンスト効果が有り、構造が簡単な発電素子や熱流センサーの材料として利用が期待ができる。強磁性半導体は高い異常ネルンスト効果が期待できるが、室温異常ネルンスト効果はキュリー温度が高い磁性金属にしか観測されず、GaMnAsなどのMn系強磁性半導体はキュリー温度が室温より低いため、室温異常ネルンスト効果が今迄観測されなかった。

本研究では、室温よりも高いキュリー温度を示すn型強磁性半導体(In,Fe)Sbにおいて、結晶成長を工夫することによって、460 Kという世界最高のキュリー温度を実現したとともに、-1.3~-3.2 μV/Kという高い異常ネルンスト係数を実現した。これらの値はよく研究された金属磁性体よりも高く、CoMn2Gaのトポロジカル磁性体に近い（図１）。本研究は強磁性半導体が異常ネルンスト効果を利用する半導体熱電素子の材料として有望であることを示した。

図１．異常ネルンスト効果の係数と磁化の相関。

電電ニュース：強磁性半導体の高い室温異常ネルンスト効果を実証

博士・修士課程修了者の代表・副代表の選出

2026年3月19日 6:35 PM

令和8年3月博士・修士課程修了者の博士課程の副代表に博士課程の西山君、修士課程の代表に修士課程の江尻君が選出されました。おめでとうございます！

2026年春季応用物理学会学術講演会で発表

2026年3月17日 11:02 AM

東京科学大学・大岡山キャンパスで開催された2026年春季応用物理学会学術講演会に、ファム教授、博士課程の加々美君、西山君、Liu Minさん、修士課程の李君、佐藤君、大枝君、伊藤君が下記の9件の発表を行いました。

[16a-S2_201-1]  “Large anomalous Nernst effect above room temperature in (In,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor”, 〇Namhai Pham , Kota Ejiri, Li Wentao, Shuzo Oeda, Yun Jaeyeon, Masaaki Tanaka

[16a-S2_201-2] “Enhancement of Curie temperature in (In,Fe)Sb by step-flow growth technique”, 〇Shuzo Oeda, Kota Ejiri, Pham Nam Hai

[16a-S4_201-4] “Unidirectional Anisotropy of SOT-Driven Domain-Wall Motion Induced by Interlayer Dzyaloshinskii–Moriya Interaction”, 〇Kota Sato, Shixuan Liang, Ho Hoang Huy, Pham Nam Hai, Cheng Song

[16p-S2_201-7] “Comparison of spin Hall angles of BiSb topological insulator measured by spin accumulation, spin–orbit torque, and spin Hall magnetoresistance”, 〇Min Liu, Ruixian Zhang, Quang Le, Brian York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Xiaoyu Xu, Son Le, Maki Maeda, Tuo Fan, Yu Tao, Hisashi Takano, Pham Nam Hai

[16p-S4_201-16] “Large Spin-Orbit Torque Induced by Highly Textured BiSb(012) Topological Insulator Deposited on Si/SiO2 Substrates Using Oxide Buffer/Seed Stack”, 〇Wentao Li, Hoang Huy Ho, Xiaokun Yan, Van Thuan Pham, Shigeyuki Hirayama, Yushi Kato, Nam Hai Pham

[17a-M_374-10] “Giant Perpendicular Magnetic Anisotropy in Mo / Boron-rich CoFeB / MgAl2O4 Heterostructure for p-MTJ integration to 5-7 nm CMOS Processes”, 〇Sho Kagami, Zhang Ruixian, Daiki Ito, Quang Le, Brian York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Son Le, Maki Maeda, Tuo Fan, Yu Tao, Hisashi Takano, Pham Nam Hai

[17a-M_374-11] “Giant Perpendicular Magnetic Anisotropy in Mo/CoFeB/MgAl2O4 Multilayers”, 〇Daiki Ito, Ruixian Zhang, Sho Kagami, Quang Le, Brian York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Son Le, Maki Maeda,  Fan Tuo, Yu Tao, Hisashi Takano, Nam Hai Pham

[18a-WL2_301-4] “Infrared (n, κ) and absorption of BiSb measured by RT technique”, 〇Hajime Nishiyama, Pham Hai, Tomohiro Amemiya, Shun Hashiyada, Yukio Kawano

[18a-WL2_301-5] “Demonstration of MIR detector using BiSb topological insulator”. 〇Hajime Nishiyama, Pham Hai, Yukio Kawano

IEEE Magnetics Society Summer School 2026の学生参加者採択

2026年2月24日 4:31 PM

博士課程のThuan君がエジプトのカイロで2026年6月14-19日に開催される予定のIEEE Magnetics Society Summer School 2026に応募して、学生参加者として採択されました。本Summer Schoolは世界中に募集し、85名の磁気分野の大学院生を選出します。参加者は交通費、宿泊費、食費が全額支給されます。おめでとうございます！

論文掲載：BiSbトポロジカル絶縁体を用いた室温動作中赤外検出器

2026年2月18日 11:13 AM

BiSbトポロジカル絶縁体を用いた室温動作中赤外検出器に関する研究成果がOptical Materials Express誌に掲載されました。

Hajime Nishiyama, Pham Nam Hai, Yukio Kawano, “Mid-infrared photothermoelectric detector using topological insulator BiSb thin film”, Optical Materials Express 16, 603 (2026).

BiSbはトポロジカル絶縁体の中にも、特にバンドギャップが小さい（わずか0.02 eV）ことから、中赤外～THz領域の検出材料として期待されている。さらに、HgCdTeと違って、スパッタリング成膜できるため、低コスト、大面積、高空間分解能が期待できる。今回の研究では、サファイア基板やフレキシブルなKapton基板上にBiSbを成膜し、中赤外の検出器として動作を実証しました。

Keynote講演

2025年12月20日 9:50 PM

京都大学で開催されたVANJ Conference 2025にPham教授が下記のKeynote講演を行いました。

[S05-2] PHAM Nam Hai, “SPINTRONIC MATERIALS FOR ULTRALOW POWER EDGE AI”

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