論文掲載:YPtBi/Ta/CoFeBにおける垂直磁気異方性と大きなスピンホール効果の実現

トポロジカルハーフホイスラ合金YPtBi/Ta/CoFeBにおける300度高温アニール耐久性、垂直磁気異方性および大きなスピンホール効果を実現した研究成果が下記の論文に掲載されました。本研究成果はウェスタインデジタル社との共同研究の成果です。

Sho Kagami, Reo Yamamoto, Zhang Ruixian, Ken Ishida, Quang Le, Brian York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Son Le, Maki Maeda, Tuo Fan, Yu Tao, Hisashi Takano, and Pham Nam Hai, “Realization of perpendicular magnetic anisotropy and high spin Hall angle in topological semimetal YPtBi/Ta/CoFeB junctions”, Jpn. J. Appl. Phys. 64, 12SP07(2025).

なお、本論文はSPOTLIGHTSに選出されました。

付属高校での特別講義

Pham教授は科学大付属高校で「グローバル社会と技術」特別講義を行いました。

清華大学でのセミナー講演

Pham教授は中国の清華大学材料学科で下記のセミナー講演を行いました。

Keynote講演

Pham教授がThe 1st Viet Nam-Japan Semiconductor Symposium 2025で下記のKeynoteを発表しました。
Pham Nam Hai, “From Semiconductor to Topological Spintronics”

論文掲載:スピンホール角の測定方法とその物理的な意義

スピンホール効果の強さを示すスピンホール角の様々な測定方法(スピン蓄積、スピントルク、スピンホール磁気抵抗)とその値の物理的な意義について調べた研究成果がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました。本論文はウェスタンデジタル社との共同研究の成果です。

Min Liu, Zhang Ruixian, Quang Le, Brian York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Xiaoyu Xu, Son Le, Maki Maeda, Tuo Fan, Yu Tao, Hisashi Takano and Pham Nam Hai, “Comparison of spin Hall angles measured by spin accumulation, spin–orbit torque, and spin Hall magnetoresistance”, Jpn. J. Appl. Phys. 64 103001 (2025).

Invited Review Articleが掲載

BiSbトポロジカル絶縁体における巨大なスピンホール効果と逆スピンホール効果のデバイス応用に関するInvited Review Articleが掲載されました。

 Pham Nam Hai, “Device applications of the giant direct and inverse spin Hall effect in BiSb topological insulator”, Proc. of SPIE 13586, 1358607 (2025).

論文がダウロード可能です。

1st IC-Nanoworld 2025国際学会でKey note講演

Pham教授は Ho Chi Minh City University of Technology and Educationで開催されたInternational Conference on Nano-World Semiconductor and Sustainable Materials
(1st IC-Nanoworld 2025)
国際学会で下記のKey note講演を行いました。

Topological materials: from fundamental researches to industrial applications

みんなの科学ニュース:世界初!磁石の性質を持つ半導体が高温環境でも動いた!

未来のスマホやコンピューターに革命をもたらす新材料とは?について、みんなの科学ニュースが掲載されました。

国際学会SSDM2025で発表

Pacifico Yokohamaで開催された国際学会SSDM2025でD1の加々美君が下記の発表を行いました。本研究成果はウェスタンデジタル社との共同研究の成果です。

[D-1-04 (Late News)]
Fabrication and Evaluation of Topological Semimetal YPtBi/Ta/CoFeB Junctions with High Spin Hall Angle for SOT-MRAM
〇Sho Kagami, Reo Yamamoto, Zhang Ruixian, Ken Ishida, Quang Le, Brian York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Son Le, Maki Maeda, Tuo Fan, Yu Tao, Hisashi Takano, Pham Nam Hai

2025年秋季応用物理学会学術講演会で発表

名城大学天白キャンパスで開催された2025年秋季応用物理学会学術講演会でD1のThuan君が下記の発表を行いました。本研究成果は日本サムスン社との共同研究の成果です。

[8p-N303-11] Large spin Hall effect in BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB heterojunctions with oxide buffer and interfacial layers
〇(D)Thuan Van Pham, Hoang Huy Ho, Wentao Li, S. Takahashi, Y. Kato, S. Hirayama, Nam Hai Pham

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