論文掲載:YPtBi/Ta/CoFeBにおける垂直磁気異方性と大きなスピンホール効果の実現
トポロジカルハーフホイスラ合金YPtBi/Ta/CoFeBにおける300度高温アニール耐久性、垂直磁気異方性および大きなスピンホール効果を実現した研究成果が下記の論文に掲載されました。本研究成果はウェスタインデジタル社との共同研究の成果です。
なお、本論文はSPOTLIGHTSに選出されました。
Keynote講演
Pham教授がThe 1st Viet Nam-Japan Semiconductor Symposium 2025で下記のKeynoteを発表しました。
Pham Nam Hai, “From Semiconductor to Topological Spintronics”
論文掲載:スピンホール角の測定方法とその物理的な意義
スピンホール効果の強さを示すスピンホール角の様々な測定方法(スピン蓄積、スピントルク、スピンホール磁気抵抗)とその値の物理的な意義について調べた研究成果がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました。本論文はウェスタンデジタル社との共同研究の成果です。
Invited Review Articleが掲載
BiSbトポロジカル絶縁体における巨大なスピンホール効果と逆スピンホール効果のデバイス応用に関するInvited Review Articleが掲載されました。
論文がダウロード可能です。
1st IC-Nanoworld 2025国際学会でKey note講演
Pham教授は Ho Chi Minh City University of Technology and Educationで開催されたInternational Conference on Nano-World Semiconductor and Sustainable Materials
(1st IC-Nanoworld 2025)国際学会で下記のKey note講演を行いました。
Topological materials: from fundamental researches to industrial applications
みんなの科学ニュース:世界初!磁石の性質を持つ半導体が高温環境でも動いた!
未来のスマホやコンピューターに革命をもたらす新材料とは?について、みんなの科学ニュースが掲載されました。







