人工知能に向けたスピン半導体材料とデバイス
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名城大学天白キャンパスで開催された2025年秋季応用物理学会学術講演会でD1のThuan君が下記の発表を行いました。本研究成果は日本サムスン社との共同研究の成果です。
[8p-N303-11] Large spin Hall effect in BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB heterojunctions with oxide buffer and interfacial layers 〇(D)Thuan Van Pham, Hoang Huy Ho, Wentao Li, S. Takahashi, Y. Kato, S. Hirayama, Nam Hai Pham
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