人工知能に向けたスピン半導体材料とデバイス
Home » 論文 » Invited Review Articleが掲載
BiSbトポロジカル絶縁体における巨大なスピンホール効果と逆スピンホール効果のデバイス応用に関するInvited Review Articleが掲載されました。
Pham Nam Hai, “Device applications of the giant direct and inverse spin Hall effect in BiSb topological insulator”, Proc. of SPIE 13586, 1358607 (2025).
論文がダウロード可能です。
Si/SiOx基板上の300℃アニールしたBiSb…
イギリスのマンチェスターで開催されたInterma…
研究室に中央大学から新M1の郷田さん、台湾からの留…
2026年3月26日に2025年度の卒業式が行われ…