Pham Nam Hai Research Group

新しい希薄磁性半導体(In,Co)Asの結晶成長および磁気特性の測定に関する論文がJpn. J. Appl. Phys.誌に掲載されました。Co-Co間の結合は反強磁性的な超交換相互作用が支配的で、強磁性になりませんでしたが、強磁性半導体の発現メカニズムの謎を解明する知見が得ることができました。

N. T. Tu, L. D. Anh, P. N. Hai, M. Tanaka, “Epitaxial growth and characterization of n-type magnetic semiconductor (In,Co)As”, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 04EM05/1-5 (2014).

強磁性半導体(Ga,Mn)AsにおけるMn励起電子状態を共鳴非弾性Ｘ線散乱法(RIXS)で調べた論文がPhys. Rev. Lett.誌に掲載されました。本研究は高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所の小林 正起博士が中心に行った共同研究の成果です。今回の実験で、(Ga,Mn)Asの正孔がMn原子のまわりに弱く局在しているMn³⁺状態にあることを明らかにして、１０年以上信じられてきたMnの電子状態のモデル(Mn²⁺と自由正孔）は実は間違ったことを決定的に証明した論文です。

M. Kobayashi, H. Niwa, Y. Takeda, A. Fujimori, Y. Senba, H. Ohashi, A. Tanaka, S. Ohya, P. N. Hai, M. Tanaka, Y. Harada, and M. Oshima, “Electronic Excitations of a Magnetic Impurity State in the Diluted Magnetic Semiconductor (Ga,Mn)As”, Phys. Rev. Lett. 112, 107203/1-5 (2014).

MnドープしたGaAsにおける可視光電界発光に関する論文がApplied Physics Lettersに掲載されました。今回はMn原子を電気的に励起する方法を提案して、GaAs中のMn原子のd-d遷移による発光を実証した研究成果です。

P. N. Hai, D. Maruo, M. Tanaka, “Visible-light electroluminescence in Mn-doped GaAs light-emitting diodes”, Appl. Phys. Lett. 104, 122409/1-5 (2014).

(In,Fe)As強磁性半導体における歪み効果に関する論文がApplied Physics Lettersに掲載されました。Zenerモデルを使って、キュリー温度の歪みと量子サイズ効果依存性をよく説明できました。

D. Sasaki, L. D. Anh, P. N. Hai, M. Tanaka, “Interplay between strain, quantum confinement, and ferromagnetism in strained ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As thin films”, Appl. Phys. Lett. 104, 142406/1-5 (2014).