JST NEXUS ベトナム「半導体」プロジェクトが採択されました。
- 日本側研究代表者: ファム ナムハイ（東京科学大学 工学院 教授）
- 相手側研究代表者: グエン トラン・ツアット（ベトナム国家大学ハノイ校 半導体・先端材料研究所 所長／准教授）
- 課題概要: 本研究は、エッジAI半導体の研究開発について、不揮発性メモリの材料とデバイスの研究開発、さらに各種のメモリ配列に適する周辺回路および制御ソフトウェアをシステムインテグレーションすることで、次世代の低消費電力のエッジ半導体の実現に必要なメモリ内演算（CIM）アーキテクチャの基盤技術の確立を目的とする。
具体的には、日本側チームはスピン軌道トルク磁気抵抗メモリ（SOT-MRAM）、強誘電体メモリ（FeRAM）、磁気光学効果メモリ(MO-RAM)の研究開発を行い、相手側チームは抵抗変化型メモリ(ReRAM)の研究開発を行う。
両国の研究チームによる共同研究を通して、上記不揮発性メモリの配列の作製、周辺回路および制御ソフトウェアを融合し、次世代の低消費電力のエッジ半導体の実現に必要なCIMアーキテクチャ基盤技術の確立が期待される。
また、11/9に開催された日本・ベトナム経済・科学技術フォーラムにおいて、JST NEXUSに採用されたチームのMOU交換式が行われました。
