JST NEXUS ベトナム「半導体」プロジェクトが採択されました。

• 日本側研究代表者: ファム ナムハイ（東京科学大学 工学院　教授）
• 相手側研究代表者: グエン トラン・ツアット（ベトナム国家大学ハノイ校 半導体・先端材料研究所　所長／准教授）
• 課題概要: 本研究は、エッジAI半導体の研究開発について、不揮発性メモリの材料とデバイスの研究開発、さらに各種のメモリ配列に適する周辺回路および制御ソフトウェアをシステムインテグレーションすることで、次世代の低消費電力のエッジ半導体の実現に必要なメモリ内演算（CIM）アーキテクチャの基盤技術の確立を目的とする。
  具体的には、日本側チームはスピン軌道トルク磁気抵抗メモリ（SOT-MRAM）、強誘電体メモリ（FeRAM）、磁気光学効果メモリ(MO-RAM)の研究開発を行い、相手側チームは抵抗変化型メモリ(ReRAM)の研究開発を行う。
  両国の研究チームによる共同研究を通して、上記不揮発性メモリの配列の作製、周辺回路および制御ソフトウェアを融合し、次世代の低消費電力のエッジ半導体の実現に必要なCIMアーキテクチャ基盤技術の確立が期待される。

また、11/9に開催された日本・ベトナム経済・科学技術フォーラムにおいて、JST NEXUSに採用されたチームのMOU交換式が行われました。

JST A-STEP 本格フェーズのプロジェクトが採択されました。
我々はウエスタンデジタルテクノロジーズ合同会社と高機能トポロジカル量子材料の適用によるSOT-MRAMの実用化技術を２～3年で確立します。
エッジ、宇宙、量子コンピューターなど、低消費電力でAIを実行するためには、SRAM~DRAM並みの速度、書き換え回数1兆回以上、かつ埋め込みができる不揮発性メモリが必要です。我々は科学大で開発した独自な高機能トポロジカル量子材料を適用し、CMOSのBEOLに対応可能な400度以上のプロセス温度、1/10以上の低電流書き込み、バイアス磁界が不要なSOT-MRAMの実用化技術を開発します。

2026年3月26日に2025年度の卒業式が行われました。博士課程の西山君、Zhang君、Liuさん、修士課程の江尻君、李君、石田君、学士課程の藤江君、連尾君、顔君が無事に卒業しました。おめでとうございます！

Pham教授は科学大付属高校で「グローバル社会と技術」特別講義を行いました。

Pham教授は中国の清華大学材料学科で下記のセミナー講演を行いました。

新B4の連尾君、藤江君（B2D）、顔君、東京電機大学から新M1の籠君、ホーチミン市教育大学から新M1のTrinh Dai Hoang Long君、北陸先端科学技術大学院大学から新D1のPham Van Thuan君が研究室に加えました。また、大枝君と伊藤君がM1に、加々美君がD1に進学しました。また、Ho Hoang Huyさんが助教に着任しました。皆さんの活躍を期待します。

3月2 6日に、初春の桜が咲く晴天の中、R6年度の卒業式と送別会が行われました。B4の大枝君と伊藤君、M2の加々美君と齋藤君、D3のＨｕｙ君が無事に卒業しました。また、加々美君は優秀修士論文賞を受賞し、Ｈｕｙ君は電気電子系電気電子コースおよび超スマート社会卓越教育院の令和7年3月博士課程修了者の代表に選出されました。おめでとうございます！

中国の南京大学から3年生のMa Minzhe (马敏喆)君が海外訪問学生として研究室に参加しました。

新B4の伊藤君と大枝君、北海道大学から新M1の佐藤君、韓国の大学から新D1のHu YiFan君が研究室に加えました。また、江尻君、石田君と李君がM1に進学しました。皆さんの活躍を期待します。

3月26日に、冷たい雨の中、R5年度の卒業式と送別会が行われました。B4の江尻君と石田君、M2の長田君、高林君、南波君、山本君が無事に卒業しました。また、江尻君と石田君が電気電子系学士優秀学生賞の表彰を受けました。おめでとうございます！

修士の皆さん

電気電子系学士優秀学生賞を受賞したB4の江尻君

みんなで飲もう！