JST A-STEP 本格フェーズのプロジェクトが採択されました。
我々はウエスタンデジタルテクノロジーズ合同会社と高機能トポロジカル量子材料の適用によるSOT-MRAMの実用化技術を２～3年で確立します。
エッジ、宇宙、量子コンピューターなど、低消費電力でAIを実行するためには、SRAM~DRAM並みの速度、書き換え回数1兆回以上、かつ埋め込みができる不揮発性メモリが必要です。我々は科学大で開発した独自な高機能トポロジカル量子材料を適用し、CMOSのBEOLに対応可能な400度以上のプロセス温度、1/10以上の低電流書き込み、バイアス磁界が不要なSOT-MRAMの実用化技術を開発します。