人工知能に向けたスピン半導体材料とデバイス
Home » 論文 » Invited Review Articleが掲載
BiSbトポロジカル絶縁体における巨大なスピンホール効果と逆スピンホール効果のデバイス応用に関するInvited Review Articleが掲載されました。
Pham Nam Hai, “Device applications of the giant direct and inverse spin Hall effect in BiSb topological insulator”, Proc. of SPIE 13586, 1358607 (2025).
論文がダウロード可能です。
研究室に中央大学から新M1の郷田さん、台湾からの留…
2026年3月26日に2025年度の卒業式が行われ…
BiSbトポロジカル絶縁体の赤外領域における光学定…
江尻 航汰君の修士論文「高キュリー温度鉄系強磁性半…