下記の論文がAppl. Phys. Lett.誌に出版されました。
P. N. Hai, M. Tanaka, “Memristive magnetic tunnel Junctions with MnAs nanoparticles”, Appl. Phys. Lett. 107, 122404/1-5 (2015).
今回の論文はMnAsナノ微粒子を含むトンネル磁気接合において、TMR効果とMemristance効果が同時に存在していることを示した。同じMTJ素子でMemristive効果とTMR効果を両方利用すれば、多ビットのメモリ素子に応用できると期待できる。
最新ニュース
-
JST A-STEP 本格フェーズのプロジェクトが…
-
北海道大学で開催された2026年秋季応用物理学会学…
-
磁性細線における磁壁速度に対する層間DMI相互作用…
-
京王プラザホテルと工学院大学で開催された半導体物理…
アーカイブ
クイックアクセス
