磁性細線における磁壁速度に対する層間DMI相互作用の効果を解明した研究成果はNano Letter誌に掲載されました。本成果はM2の佐藤君が清華大学プログラムで実験を行い、さらに東京科学大学でマイクロマグネティックシミュレーションを用いた理論解析によって、層間DMI相互作用の効果を確認したものです。

Kota Sato, Shixuan Liang, Ruiyue Chu, Lei Han, Ho Hoang Huy, Pham Nam Hai, Cheng Song, “Nonreciprocity of Domain-Wall Motion Induced by Interlayer Dzyaloshinskii–Moriya Interaction”, Nano Lett. 26, 10748–10754 (2026).

層間DMI相互作用がある時、磁性細線の方向がDMIベクトルと平行する時に、磁壁速度が電流の向きによって異なることを実験的にかつ理論的に解明しました。本研究成果は層間DMI相互作用は磁性細線メモリの新しい設計パラメータとして注目すべきことを示しました。