Home » 論文 » 論文掲載:トポロジカル絶縁体BiSbの(012)高配向およびエピタキシャル膜における熱処理効果とスピンホール効果
トポロジカル絶縁体BiSbの(012)高配向およびエピタキシャル膜における熱処理効果とスピンホール効果に関する研究成果がJapanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました。本研究はウェスタンデジタル社との共同研究成果です。
Quang Le, Brian R. York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Lei Xu, Son Le, Maki Maeda, Tuo Fan, Yu Tao, Hisashi Takano, Min Liu, Zhang Ruixian, Shota Namba and Pham Nam Hai, “Thermal reliability and spin Hall angle of highly textured and epitaxial Bi0.9Sb0.1(012) topological insulator”, Jpn. J. Appl. Phys. 64, 043001 (2025).
最新ニュース
-
JST NEXUS ベトナム「半導体」プロジェクト…
-
清華大学プログラムの 陳 彦楷 君、IGP(A)の…
-
Sheraton Hanoi Westホテルで開催…
-
長崎県ので開催されたSSDM2026国際学会でM2…
アーカイブ
クイックアクセス