Invited Review Articleが掲載
BiSbトポロジカル絶縁体における巨大なスピンホール効果と逆スピンホール効果のデバイス応用に関するInvited Review Articleが掲載されました。
論文がダウロード可能です。
1st IC-Nanoworld 2025国際学会でKey note講演
Pham教授は Ho Chi Minh City University of Technology and Educationで開催されたInternational Conference on Nano-World Semiconductor and Sustainable Materials
(1st IC-Nanoworld 2025)国際学会で下記のKey note講演を行いました。
Topological materials: from fundamental researches to industrial applications
みんなの科学ニュース:世界初！磁石の性質を持つ半導体が高温環境でも動いた！
未来のスマホやコンピューターに革命をもたらす新材料とは？について、みんなの科学ニュースが掲載されました。
国際学会SSDM2025で発表
Pacifico Yokohamaで開催された国際学会SSDM2025でD1の加々美君が下記の発表を行いました。本研究成果はウェスタンデジタル社との共同研究の成果です。
2025年秋季応用物理学会学術講演会で発表
名城大学天白キャンパスで開催された2025年秋季応用物理学会学術講演会でD1のThuan君が下記の発表を行いました。本研究成果は日本サムスン社との共同研究の成果です。
SPIE Spintronics XVIIIで招待講演
ファム教授はSPIE Spintronics XVIIIで下記の招待講演を行いました。
[13586-39] (Invited Paper) Device applications of the giant direct and inverse spin Hall effect in BiSb topological insulator
Author(s): Pham Nam Hai, Institute of Science Tokyo (Japan)
TMRC2025国際学会で発表
D4のZhang君が磁気記録の国際学会TMRC2025で下記の発表を行いました。本研究はウェスタンデジタル社との共同研究の成果です。
ファム教授がScience Tokyo Gap Fund研究者ピッチ２０２５のAudience Awardを受賞
ファム教授はScience Tokyo Gap Fund研究者ピッチ２０２５において、会場投票によって決まるAudience Awardを受賞しました。
論文掲載・プレスリリース：強磁性半導体の世界最高のキュリー温度を実現
強磁性半導体(Ga,Fe)Sbにおいて、世界最高のキュリー温度(530 K)を実現した研究成果はApplied Physics Letters誌に掲載されました。
強磁性半導体は半導体と磁性体の両方の特徴を有する材料で、半導体デバイスと磁性デバイスの機能性を融合するスピン機能半導体デバイスの実現に寄与すると期待されています。今までに (Ga,Fe) Sb強磁性半導体において達成できたキュリー温度は最高で420 K (147 ℃)でした。この値は室温より高いものですが、室温でスピン機能の半導体デバイスを安定的に動作させるためには、不十分です。また、添加したFe原子あたりの磁気モーメントが2~3 ボーア磁子程度であり、理想的な値の5ボーア磁子よりも小さいことから、添加したFe原子がすべて活性化しない（磁性へ貢献しない）ことが分かります。従って、室温でスピン機能の半導体デバイスを安定的に動作させるためには、強磁性半導体の高品質化（キュリー温度の増大、ボーア磁子の増大）の手法を開発する必要があると考えました。そこで、本研究では、ステップフロー成長法を用いて、高濃度のFe添加でも、高い結晶性を有する (Ga,Fe) Sb強磁性半導体を作製しました。この方法で作製した (Ga,Fe) Sbのキュリー温度は530 K（257℃）に達成し、従来の方法で作製したものよりも大幅にキュリー温度を上昇させることができました。さらに、室温におけるFe原子あたりの磁気モーメントは、従来よりも2倍大きい4.5ボーア磁子を達成しました。本研究成果は、室温で動作可能な低消費電力スピン機能半導体デバイスの実現に寄与すると考えられます。
図（a）作製したサンプルの断面構造。（b）電子顕微鏡像
Press release: Achieving a Record-High Curie Temperature in Ferromagnetic Semiconductor
論文掲載：トポロジカル半金属YPtBiにおけるPtとBi組成の役割を解明
トポロジカル半金属YPtBiにおけるPtとBi組成の役割を解明した研究成果がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました。本研究はウェスタンデジタル社との共同研究の成果です。
ギャラリー
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- 2019年夏短期留学生の歓迎会
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- ドイツイノベーションアワード
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- 英語講演奨励賞の受賞
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- 2019年３月卒業式
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- Nature Materials論文掲載
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- 研究室のスキー旅行