私たちの提案である「３次元磁性細線メモリ」はJST-A Step(育成型）に採択されました。

JST A-Step(育成型）とは、大学や公的研究機関などにおける新規性・優位性のある基礎研究成果（技術シーズ）について「学」と「産」のマッチングを行い、企業との共同研究につなげるまで磨き上げ、共同研究体制の構築を目指すものです。

3次元磁性細線メモリは、隣あう磁区間の磁壁を移動させることにより、磁区（ビット）を空間的に移動させ、一つのリーダーとライター素子で１００～１０００ビットを読み出しと書き込みができるため、現在普及している３次元NANDフラッシュメモリを凌駕する次世代メモリである。本提案はPham研究室が独自に提案し、特許出願した３次元磁性細線メモリの構造と要素技術、具体的には、(1)ALD/CVDによる縦穴に3次元磁性細線メモリの成膜技術、(2)磁性細線の凸凹など、特殊な形状を必要としない独自なビットシフトエラー抑制技術、(3)スピン軌道トルクによる超高速磁壁駆動技術からなる。

特別研究員2名（Brian York氏とCherngye Hwang氏）が研究室に参加しました。

両氏とも、元IBM/Hitachi Global Storage Technology/Western Digitalの元ベテラン社員です。

今後にPham研で開発した技術を様々な製品応用に向けて研究を支援していただきます。

Pham准教授がスピンホール効果材料としてのトポロジカル絶縁体について担当執筆した『スピントロニクスハンドブック』が発刊されました。この本は日本全国のスピントロニクス研究者が最先端の研究についてまとめたハンドブックです。初心者の勉強に最適です。Pham研に1冊があるので、貸し出しができます。

https://www.nts-book.com/978-4-86043-842-5/

新しいM1の齋藤君、B4の江尻君、B4の李君が研究室に参加しました。また、加々美君がM1に進学しました。皆さんのご活躍を期待します！

M2のHuy君(9月卒業）、遠藤君、Tran君、B4の加々美君と有川君が無事に卒業しました。おめでとうございます！

D3の白倉さんが3ヶ月短縮で博士号を修得し、特任助教に就任しました。おめでとうございます！今後のご活用を期待します。

Liu Min君とChenhao Wang君が新しい博士課程の学生として研究室に参加しました。皆さんの活躍を期待します。

8月9日に東京工業大学大岡山キャンパスでSymposium on Topotronics for the Metaverseを開催しました。