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論文掲載：Si/SiOx基板上の300℃アニールしたBiSbトポロジカル絶縁体の巨大なスピンホール効果の実証

Si/SiOx基板上の300℃アニールしたBiSbトポロジカル絶縁体の巨大なスピンホール効果の実証に関する研究成果がAppied Physics Letters誌に掲載されました。本研究成果は日本サムスン社との共同研究成果です。

Pham Van Thuan, Ho Hoang Huy, Wentao Li, Shigeyuki Hirayama, Yushi Kato, Pham Nam Hai, “Large spin Hall effect in 300 °C annealed BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB using oxide buffer/seed and interfacial layers on Si/SiO2 substrates”, Appl. Phys. Lett. 128, 182403 (2026).

BiSbは比較的に高い電気伝導率と高いスピンホール効果を示し、優れたスピン注入源としてSOT-MRAMやSOTセンサーへの応用が期待されています。しかし、デバイス応用するためには、Si/SiOxアモルファス基板上への成膜および高い温度での熱処理に耐える必要があります。本研究では、バッファー層としてTiOx/TaOxの酸化物層およびTaOxキャップ層を用いることで、300℃アニールしたBiSbでも11.1という高いスピンホール角を達成しました。
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