BiSbトポロジカル絶縁体を用いた室温動作中赤外検出器に関する研究成果がOptical Materials Express誌に掲載されました。

Hajime Nishiyama, Pham Nam Hai, Yukio Kawano, “Mid-infrared photothermoelectric detector using topological insulator BiSb thin film”, Optical Materials Express 16, 603 (2026).

BiSbはトポロジカル絶縁体の中にも、特にバンドギャップが小さい（わずか0.02 eV）ことから、中赤外～THz領域の検出材料として期待されている。さらに、HgCdTeと違って、スパッタリング成膜できるため、低コスト、大面積、高空間分解能が期待できる。今回の研究では、サファイア基板やフレキシブルなKapton基板上にBiSbを成膜し、中赤外の検出器として動作を実証しました。