人工知能に向けたスピン半導体材料とデバイス
Home » 論文 » 論文掲載:MoS2における磁気抵抗効果
MoS2における磁気抵抗効果の研究成果がScientific Reports誌に掲載されました。本論文は若林研究室の宗田伊理也氏との共同研究の成果です。
Iriya Muneta, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, and Hitoshi Wakabayashi, “Ferromagnetism modulation by ultralow current in a two-dimensional polycrystalline molybdenum disulphide atomic layered structure”, Scientific Reports 12, 17199 (2022).
研究室に中央大学から新M1の郷田さん、台湾からの留…
2026年3月26日に2025年度の卒業式が行われ…
BiSbトポロジカル絶縁体の赤外領域における光学定…
江尻 航汰君の修士論文「高キュリー温度鉄系強磁性半…