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論文掲載：室温強磁性半導体(In,Fe)Sbの高性能化

室温強磁性半導体(In,Fe)Sbの高キュリー温度化（世界最高の最385 Kを達成)と磁気異方性の向上に関する研究成果がAppl. Phys. Express誌に掲載されました。本研究は東京大学との共同研究です。

Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka, “Heavily Fe-doped ferromagnetic semiconductor (In,Fe)Sb with high Curie temperature and large magnetic anisotropy”, Appl. Phys. Express 12, 103004 (2019).

(a)Fe 35%添加したInSb半導体におけるキュリー温度の同定（アロットプロット）。キュリー温度が385 Kに達したことが分かる。(b)キュリー温度温度のFe濃度依存性。

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