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Category Archives: 招待講演

PASPS-23学会の招待講演

2018年12月12日 8:47 AM

第23回半導体におけるスピン工学の基礎と応用（PASPS-23)にて、Pham准教授と共同研究者のNguyen氏が招待講演、共同研究者の小林氏、D3のKhang君、M2の八尾君、西嶋君、M1の長南君が発表を行いました。

[O-6] Unveiling Origin of Ferromagnetism in Fe-Doped Ferromagnetic Semiconductor by Synchrotron Radiation Spectroscopy
M. Kobayashi, L. D. Anh, P. N. Hai, H. Kiuchi, H. Niwa, J. Miyawaki, Y. Harada, T. Schmitt, A. Fujimori, V. N. Strocov, M. Oshima, and M. Tanaka

[O-9] (Invited) Topological insulator for ultra-low power magnetic memories
Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, Kenichiro Yao, Takanori Shirokura

[O-13] Field-free ground-state skyrmions in BiSb/MnGa bi-layers at room temperature revealed by topological Hall effect
N. H. D. Khang, T. Fan and P. N. Hai

[O-15] (Invited) High-temperature ferromagnetism in both p-type and n-type Fe-doped III-V ferromagnetic semiconductors
Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh and Masaaki Tanaka

[O-16] Room-temperature anomalous Hall effect of Fe delta-doped (In,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor thin films
K. Nishijima, S. Takahashi, M. Tanaka, and P. N. Hai

[P-4] Origin of the giant spin Hall effect in BiSb topological insulator
K. Yao, T. Shirokura, and P. N. Hai

[P-14] 鉄系強磁性半導体を用いたスピンバイポーラトランジスタの作製と評価
長南光貴，荒川雄斗，田中雅明，ファムナムハイ

ISSPワークショップで招待講演

2018年11月13日 3:43 PM

Pham准教授が東京大学物性研究所で開催された「スピン軌道強結合伝導系におけるサイエンスの新展開」のISSPワークショップで下記の招待講演を行いました。

Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, 八尾健一郎, 白倉孝典
“超高性能純スピン注入源としての BiSb トポロジカル絶縁体”

The Kavli ITS Workshopで招待講演

2018年11月6日 10:24 PM

Pham准教授と共同研究者の田中雅明教授が中国科学院大学(UCAS)のカブリ理論科学研究所(Kavli ITS)で開催されたThe Kavli ITS Workshop on Diluted Magnetic Semiconductors: Challenges and Opportunitiesにて、鉄系強磁性半導体へテロ構造におけるスピン依存伝導特性に関する一連の研究成果について招待講演を行いました。

(Invited) Pham Nam Hai, Kento Nishijima, Tomohiro Ostuka, Nguyen Thanh Tu, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka, “Spin-dependent transport phenomena in Fe-doped ferromagnetic semiconductor-based spin devices”.

(Invited) Masaaki Tanaka, Le Duc Anh, Nguyen Thanh Tu, and Pham Nam Hai, “New n-type and p-type Fe-doped III-V ferromagnetic semiconductors with high T_C “