論文掲載:(In,Fe)As強磁性半導体のスピン状態とバンド構造を解明
(In,Fe)As強磁性半導体のスピン状態とバンド構造を解明した研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。
今回の研究ではn-(In,Fe)As/p-InAsの江崎ダイオード構造において、トンネル分光法を用いて、(In,Fe)As強磁性半導体のスピン状態とバンド構造を解明しました。
さらに、本研究は、トップクラスの論文としてFeatured Articleおよび米国物理協会(American Institute of Physics)のScience Highlightにも選べられ、解説記事が掲載されました。
Science Highlightに選べられたのは3回連続になります。
論文掲載:逆スピンバルブ効果の観測
D3のHiep君のナノSiバルブデバイスにおける逆スピンバルブ効果の観測に関する研究成果がJournal of Applied Physicsに掲載されました。
今回の論文はJAP学術誌のトップクラス論文としてFeatured Articleに選べられました。
さらに、米国物理協会(American Institute of Physics)のScience Highlightにも選べられ、解説記事が掲載されました。
米国物理協会のScience Highlighに選べられた
D1のKhang君の論文が米国物理協会(American Institute of Physics)のScience Highlightに選べられ、解説記事が掲載されました。
論文掲載:垂直磁化膜/トポロジカル絶縁体接合の結晶成長
金森記念国際シンポジウムに発表
D3のHiep君、D1のKhang君、共同研究者のAnh氏および田中教授がJunjirou Kanamori Memorial International Symposium – New Horizon of Magnetism- (Sep. 27-29 2017)に下記の発表を行いました。
[P71] Tuning of Magnetoconductance by Electrical Control of Band Alignment in a n+-(In,Fe)As/p+-InAs Esaki Diode
Le Duc Anh, Pham Nam Hai and Masaaki Tanaka
[P82] Inverse spin-valve effect in spin-valve devices with nanoscale Si channels
D. D. Hiep, M. Tanaka, and P. N. Hai
[P83] Magnetic and structural properties of MnGa thin films grown on
Bi0.8Sb0.2 topological insulator
N. H. D. Khang, Y. Ueda, and P. N. Hai
[S2] (Invited) Recent progress and topics in semiconductor spintronics and ferromagnetic semiconductors
M. Tanaka, S. Ohya, L.D. Anh, N.T. Tu, I. Muneta, and P.N. Hai
ICDS-29国際学会発表
Pham准教授がThe 29th International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-29)の国際学会で下記の招待講演を行いました。
[ThA3-I2 (Invited)] Fe-doped ferromagnetic semiconductors for high-performance semiconductor spin devices
Pham Nam Hai, Tomohiro Ostuka, Munehiko Yoshida, Nguyen Thanh Tu, Le Duc Anh, and Masaaki Tanaka












