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論文掲載：トポロジカル半金属YPtBiにおけるスピンホール効果の組成依存性

トポロジカル半金属YPtBiにおけるスピンホール効果の組成依存性を評価した研究成果がJapanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました。本成果はキオクシア株式会社との共同研究による成果です。

Takanori Shirokura , Tsuyoshi Kondo, and Pham Nam Hai, “Effect of stoichiometry on the spin Hall angle of the half-Heusler alloy topological semimetal YPtBi”, Japanese Journal of Applied Physics 61, 073001 (2022).

今回の研究では、YPtBi組成ずれがあっても、スピンホール効果ー伝導率の関係がほとんど変わらないことが分りました。つまり、YPtBiのスピンホール効果は組成ずれに対して、ロバストであることを示しました。

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