博士課程のHiep君(OB)のSi系ナノサイズのスピンバルブの世界記録を更新した研究成果がIOP PublishingのAdv. Nat. Sci.: Nanosci. Nanotechnol. 誌に掲載されました。

Duong Dinh Hiep, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai, “Lateral silicon spin-valve devices with large spin-dependent magnetoresistance and output voltage”, Adv. Nat. Sci: Nanosci. Nanotechnol. 10, 025001 (2019).

今回の研究では、Si系ナノサイズのスピンバルブ構造において、MgOトンネル障壁の膜厚の最適化およびFe/MgO界面にMg層を挿入することで、スピンバルブ比-3.6%およびスピン依存出力電圧25mVを達成した。いずれの値も世界記録を更新しました。

(a)最適化したSiナノスケールスピンバルブ構造、(b)達成した世界最高のスピンバルブ比。